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ISC022N10NM6

更新时间： 2024-11-10 11:13:47

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英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
11页	1120K
描述
正常电平 ISC022N10NM6 OptiMOS™ 6 系列 100 V 器件在分立式功率 MOSFET 领域树立了全新技术标准。相较于替代产品，英飞凌的领先薄晶圆技术显示出卓越性能优势。

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ISC022N10NM6 数据手册

ISC022N10NM6

MOSFET

OptiMOS^TMꢀ6ꢀPower-Transistor,ꢀ100ꢀV

PG-TSON-8-3

Features

•ꢀN-channel,ꢀnormalꢀlevel

•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀR_DS(on)

Pin 1

•ꢀExcellentꢀgateꢀchargeꢀxꢀR_DS(on)ꢀproductꢀ(FOM)

•ꢀVeryꢀlowꢀreverseꢀrecoveryꢀchargeꢀ(Q_rr)

•ꢀHighꢀavalancheꢀenergyꢀrating

•ꢀ175°Cꢀoperatingꢀtemperature

•ꢀOptimizedꢀforꢀhighꢀfrequencyꢀswitchingꢀandꢀsynchronousꢀrectification

•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

•ꢀMSLꢀ1ꢀclassifiedꢀaccordingꢀtoꢀJ-STD-020

Drain

Pin 5-8

Productꢀvalidation

FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

Gate

Pin 4

Source

Pin 1-3

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

*1: Internal body diode

Parameter

Value

100

2.24

230

135

Unit

V_DS

R_DS(on),max

I_D

mΩ

Q_oss

Q_G(0V...10V)

Q_rrꢀ(100A/µs)

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

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ISC022N10NM6

PG-TSON-8

022N1N6

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2023-02-14

12 3 4 5 6 7...11

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