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ISC009N06LM5

更新时间： 2024-12-01 11:16:03

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
11页	928K
描述
ISC009N06LM5 为采用 SuperSO8 封装的英飞凌 OptiMOS™ MOSFET，该器件进一步完善了 OptiMOS™ 5 和 3 产品系列，在增强稳健性之余，还提高了功率密度以满足对低系统成本和高性能的需求。

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ISC009N06LM5 数据手册

ISC009N06LM5

MOSFET

OptiMOS^TM5ꢀPower-Transistor,ꢀ60ꢀV

PG-TSON-8-3

Features

•ꢀOptimizedꢀforꢀsynchronousꢀrectification

•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested

•ꢀSuperiorꢀthermalꢀperformance

•ꢀN-channel

Pin 1

•ꢀ175°Cꢀrated

•ꢀPb-freeꢀleadꢀplatingꢀ:ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀEC61249-2-21

•ꢀHigherꢀsolderꢀjointꢀreliabilityꢀdueꢀtoꢀenlargedꢀsourceꢀinterconnection

Productꢀvalidation

Drain

Pin 5-8

FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

Gate

Pin 4

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

Value

Unit

Source

Pin 1-3

*1: Internal body diode

V_DS

R_DS(on),max

I_D

0.9

mΩ

348

127

Q_oss

Q_G(0V..4.5V)

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

ISC009N06LM5

PG-TSON-8-3

009N06L

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2021-03-08

12 3 4 5 6 7...11

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