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ISC007N04NM6

更新时间： 2024-12-01 11:15:55

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		电池栅驱动栅极
页数	文件大小	规格书
12页	1609K
描述
凭借先进的 40V OptiMOSTM 6 正常电平功率MOSFET，英飞凌为电池供电应用、电池供电工具、电池管理和低压驱动等所需的正常电平(较高阈值电压)应用提供了标杆解决方案。正常电平的产品组合具有较高的 Vth，这意味着只有较大的栅极电压尖峰才会导致不必要的导通。

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ISC007N04NM6 数据手册

ISC007N04NM6

MOSFET

OptiMOS^TMꢀ6ꢀPower-Transistor,ꢀ40ꢀV

PG-TDSON-8

Features

•ꢀOptimizedꢀforꢀLowꢀVoltageꢀDrivesꢀapplications

•ꢀOptimizedꢀforꢀBatteryꢀPoweredꢀapplication

•ꢀOptimizedꢀforꢀSynchronousꢀapplication

•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀR_DS(on)

•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested

Pin 1

•ꢀSuperiorꢀthermalꢀresistance

•ꢀN-channel

•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

•ꢀ175ꢀ°Cꢀrated

Drain

Pin 5-8

Productꢀvalidation

FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

Gate

Pin 4

Source

Pin 1-3

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

*1: Internal body diode

Parameter

Value

Unit

V_DS

R_DS(on),max

I_D

0.7

mΩ

381

103

Q_oss

Q_G(0V..10V)

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

07N04NM6

RelatedꢀLinks

ISC007N04NM6

PG-TDSON-8 FL

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.2,ꢀꢀ2023-03-08

12 3 4 5 6 7...12

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