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2SA1489

更新时间: 2024-01-01 22:13:28
品牌 Logo 应用领域
无锡固电 - ISC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 170K
描述
Silicon PNP Power Transistors

2SA1489 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.89
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):6 A
集电极-发射极最大电压:80 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):50JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):60 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):20 MHz

2SA1489 数据手册

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Inchange Semiconductor  
Product Specification  
Silicon PNP Power Transistors  
2SA1489  
DESCRIPTION  
·With TO-3PN package  
·Complement to type 2SC3853  
APPLICATIONS  
·Audio and general purpose  
PINNING  
PIN  
1
DESCRIPTION  
Base  
Collector;connected to  
mounting base  
2
Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol  
3
Emitter  
Absolute maximum ratings(Ta=)  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
PARAMETER  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
CONDITIONS  
Open emitter  
VALUE  
-80  
UNIT  
V
Open base  
-80  
V
Open collector  
-6  
V
-6  
A
IB  
Base current  
-3  
A
PC  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
TC=25  
60  
W
Tj  
150  
-55~150  
Tstg  

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