2SA1452Y

更新时间： 2024-01-07 06:48:14

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	111K
描述
Transistor

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2SA1452Y 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.72	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	12 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1452Y 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

2SA1452

DESCRIPTION

·Low Collector Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= -0.4V(Max)@I_C= -6A

·Good Linearity of h_FE

·High Switching Speed

·Complement to Type 2SC3710

APPLICATIONS

·Designed for high current switching applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

-80

-6

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

-12

I_B

-2

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1455	ROHM	EPITAXIAL PLANAR PNP SILICON TRANSISTOR	获取价格
2SA1455K	ROHM	EPITAXIAL PLANAR PNP SILICON TRANSISTOR	获取价格
2SA1455K	KEXIN	Epitaxial Planar PNP Silicon Transistor	获取价格
2SA1455K	TYSEMI	High breakdown voltage:VCEO=-120V Low noise design:NF=0.2dB(Typ.)	获取价格
2SA1455KE	ROHM	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 120V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| SOT-23VAR	获取价格
2SA1455KR	ROHM	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 120V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| SOT-23VAR	获取价格