2SA1387

更新时间： 2024-02-12 16:18:39

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	156K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA1387 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	70	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1387 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1387

DESCRIPTION

·With TO-220Fa package

·Low collector saturation voltage

·High speed switching time

·High DC current gain

APPLICATIONS

·High current switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

-60

-50

-7

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

Open collector

-5

I_B

Base current

-1

T_a=25℃

T_C=25℃

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_j

T_stg

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