2SA1359

更新时间： 2024-02-02 16:45:55

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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4页	191K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA1359 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.75
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	10 W
最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.8 V	Base Number Matches：	1

2SA1359 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1359

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·Complement to type 2SC3422

·Good linearity of h_FE

APPLICATIONS

·Audio frequency amplifier

·Low speed switching

·Suitable for output stage of 5W car

radio and car stereo

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

-40

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

-40

Open collector

-5

-3

-1

I_B

Base current

T_a=25℃

T_C=25℃

1.5

P_D

Total power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

℃

T_stg

-55～+150

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