2SA1358

更新时间： 2024-02-28 13:56:40

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描述
isc Silicon PNP Power Transistor

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2SA1358 技术参数

是否无铅：	含铅	生命周期：	Not Recommended
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.38	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	10 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	NOT SPECIFIED
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	120 MHz
VCEsat-Max：	1 V	Base Number Matches：	1

2SA1358 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

2SA1358

DESCRIPTION

·High Collector-Emitter Breakdown Voltage

: V_(BR)CEO= -120V(Min)

·Complement to Type 2SC3421

APPLICATIONS

·Designed for audio frequency power amplifier applications.

·Suitable for driver of 60 to 80 Watts audio amplifier.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-120

-5

UNIT

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

-1

I_B

-0.1

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

Collector Power Dissipation

@ T_a=25℃

1.5

T_J

Junction Temperature

150

℃

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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