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2SA1328O

更新时间: 2024-02-16 14:09:49
品牌 Logo 应用领域
无锡固电 - ISC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 115K
描述
Transistor

2SA1328O 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.77外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):12 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):120
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):70 MHzBase Number Matches:1

2SA1328O 数据手册

 浏览型号2SA1328O的Datasheet PDF文件第2页 
INCHANGE Semiconductor  
isc Product Specification  
isc Silicon PNP Power Transistor  
2SA1328  
DESCRIPTION  
·Low Collector Saturation Voltage  
:VCE(sat)= -0.4(V)(Max)@IC= -6A  
·High Switching Speed  
·Complement to Type 2SC3345  
APPLICATIONS  
·Designed for high current switching applications.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
PARAMETER  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
VALUE  
-60  
UNIT  
V
-50  
V
-6  
V
Collector Current-Continuous  
Base Current-Continuous  
-12  
A
IB  
-2  
A
Total Power Dissipation  
@ TC=25℃  
PC  
40  
W
TJ  
Junction Temperature  
150  
-55~150  
Storage Temperature Range  
Tstg  
isc Websitewww.iscsemi.cn  

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