2SA1303Y

更新时间： 2024-02-02 06:00:11

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管放大器局域网
页数	文件大小	规格书
2页	107K
描述
Transistor

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SA1303Y 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.6
Base Number Matches：	1

2SA1303Y 数据手册

INCHANGE Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistor

2SA1303

DESCRIPTION

·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-

V_(BR)CEO= -150V(Min)

·Good Linearity of h_FE

·Complement to Type 2SC3284

APPLICATIONS

·Designed for audio and general purpose applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-150

-5

UNIT

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

-14

I_B

-3

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

125

℃

T_J

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

下载PDF

与2SA1303Y相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1304	SAVANTIC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格
2SA1304	ISC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格
2SA1304	TOSHIBA	TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER, VERTICAL OUTPUT APPLICATIONS)	获取价格
2SA1304	NJSEMI	Trans GP BJT PNP 150V 1.5A 3-Pin TO-220IS	获取价格
2SA1305	SAVANTIC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格
2SA1305	ISC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格