2SA1302

更新时间： 2024-02-18 14:06:53

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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描述
isc Silicon PNP Power Transistor

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2SA1302 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.83
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	15 A
集电极-发射极最大电压：	200 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	55	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	150 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	NOT SPECIFIED
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	25 MHz
VCEsat-Max：	3 V	Base Number Matches：	1

2SA1302 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

2SA1302

DESCRIPTION

·High Current Capability

·High Power Dissipation

·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= -200V(Min)

·Complement to Type 2SC3281

APPLICATIONS

·Power amplifier applications

·Recommend for 100W high fidelity audio frequency amplifier

output stage applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-200

-5

UNIT

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

-15

I_B

-1.5

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

150

℃

T_J

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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