2SA1301

更新时间： 2024-01-11 05:24:12

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	79K
描述
isc Silicon PNP Power Transistor

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2SA1301 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	12 A	集电极-发射极最大电压：	160 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	55
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	30 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1301 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

2SA1301

DESCRIPTION

·High Power Dissipation

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= -160V(Min)

·Complement to Type 2SC3280

APPLICATIONS

·Power amplifier applications

·Recommend for 80W high fidelity audio frequency amplifier

output stage applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-160

-5

UNIT

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

-12

I_B

-1.2

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

120

℃

T_J

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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与2SA1301相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1301F	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 160V V(BR)CEO \| 12A I(C) \| SOT-186VAR	获取价格
2SA1301R	ISC	Transistor	获取价格
2SA1302	MOSPEC	POWER TRANSISTORS(15A,200V,150W)	获取价格
2SA1302	Wing Shing	PNP PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER)	获取价格
2SA1302	SAVANTIC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格
2SA1302	ISC	isc Silicon PNP Power Transistor	获取价格