2SA1265NO

更新时间： 2024-01-28 06:28:29

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	150K
描述
Transistor

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2SA1265NO 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	140 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	80
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	30 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1265NO 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1265N

DESCRIPTION

·With TO-3P(I) package

·Complement to type 2SC3182

·2SA1265 with short pin

APPLICATIONS

·Power amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3P(I)) and symbol

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

-140

-5

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

-10

I_B

Base current

-1

P_T

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

100

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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