2SA1249

更新时间： 2024-02-11 20:53:57

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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4页	198K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA1249 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.33	最大集电极电流 (IC)：	1.5 A
集电极-发射极最大电压：	160 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-126
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	10 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	VCEsat-Max：	0.5 V
Base Number Matches：	1

2SA1249 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1249

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·Complement to type 2SC3117

·High breakdown voltage

·Large current capacity

APPLICATIONS

·For color TV sound output,converters,

Inverters applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-180

-160

-6

UNIT

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

Open collector

-1.5

I_CM

Collector current-Peak

-2.5

T_a=25℃

T_C=25℃

1.0

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

℃

T_stg

-55~150

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1249R	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 160V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-126	获取价格
2SA1249S	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 160V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-126	获取价格
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