2SA1215

更新时间： 2024-01-31 19:25:02

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管放大器局域网
页数	文件大小	规格书
4页	214K
描述
Silicon PNP Power Transistors

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SA1215 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.39
最大集电极电流 (IC)：	15 A	集电极-发射极最大电压：	160 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	90
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1215 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1215

DESCRIPTION

·With MT-200 package

·Complement to type 2SC2921

APPLICATIONS

·Audio and general purpose

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (MT-200) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

-160

-5

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

-15

I_B

Base current

-4

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

150

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

12 3 4

下载PDF

与2SA1215相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1215_07	SANKEN	Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor	获取价格
2SA1215O	SANKEN	暂无描述	获取价格
2SA1215O	ISC	Transistor	获取价格
2SA1215P	ALLEGRO	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,	获取价格
2SA1215P	ISC	Transistor	获取价格
2SA1215Y	ISC	Transistor	获取价格