2SA1209

更新时间： 2024-02-13 08:25:12

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	199K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA1209 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.34	最大集电极电流 (IC)：	0.14 A
集电极-发射极最大电压：	160 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-126
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	10 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	VCEsat-Max：	0.4 V
Base Number Matches：	1

2SA1209 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1209

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·Complement to type 2SC2911

·High breakdown voltage

·Fast switching speed

APPLICATIONS

·High-voltage switching and

AF 100W predriver applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-180

-160

-5

UNIT

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

Open collector

-0.14

-0.20

1.0

I_CM

Collector current-Peak

T_a=25℃

T_C=25℃

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

℃

T_stg

-55~150

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1209_02	SANYO	160V/140mA High-Voltage Switching and AF 100W Predriver Applications	获取价格
2SA1209R	ISC	Transistor	获取价格
2SA1209S	ISC	Transistor	获取价格
2SA1209S	ROCHESTER	0.14mA, 160V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126, TO-126, 3 PIN	获取价格
2SA1209-S	ROCHESTER	0.14mA, 160V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126, TO-126, 3 PIN	获取价格
2SA1209T	ISC	Transistor	获取价格