2SA1184

更新时间： 2024-02-05 13:22:33

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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3页	140K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA1184 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.67	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	1 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	80	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	140 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1184 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1184

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·High breakdown voltage

APPLICATIONS

·Audio frequency power amplifier

·High frequency power amplifier

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

-120

-5

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

-1

I_B

Base current

-0.1

T_a=25℃

T_C=25℃

1.5

P_D

Total power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

℃

T_stg

-55～+150

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