2SA1180

更新时间： 2024-01-16 07:50:10

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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3页	154K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA1180 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.77	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	150 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	60 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1180 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1180

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·High power dissipations

APPLICATIONS

·For power switching amplifier and

general purpose applications

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

-180

-6

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

-10

I_B

Base current

-4

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

100

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

12 3

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