2SA1095

更新时间： 2024-01-07 06:45:21

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	181K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA1095 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.63	最大集电极电流 (IC)：	15 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	55
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	140 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	标称过渡频率 (fT)：	60 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1095 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1095

DESCRIPTION

·With MT-200 package

·Complement to type 2SC2565

·High breakdown voltage

·High transition frequency

APPLICATIONS

·Power amplifier applications

·Recommended for 100W high-fidelity audio

frequency amplifer output stage

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (MT-200) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-160

-5

UNIT

Open base

Open collector

-15

I_E

Emitter current

P_C

Collectorl power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

150

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

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