2SA1065R

更新时间： 2024-01-17 16:13:14

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	161K
描述
Transistor

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2SA1065R 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SA1065R 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1065

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Low collector saturation voltage

·High transition frequency

·Complement to type 2SC2489

APPLICATIONS

·For audio frequency amplifier and high

power amplifier applications

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Collector

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

-150

-5

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

-10

I_CM

Collector current-peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

-15

P_C

T_C=25℃

120

℃

T_j

150

T_stg

-65~150

12 3

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