2SA1008

更新时间： 2024-01-27 19:01:12

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描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA1008 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.21
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SA1008 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1008

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·Complement to type 2SC2331

·Low collector saturation voltage

·Fast switching speed

APPLICATIONS

·Switching regulators

·DC/DC converters

·High frequency power amplifiers

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-100

-7

UNIT

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

Open collector

-2.0

I_CM

Collector current-Peak

Base current

-4.0

I_B

-1.0

T_a=25℃

T_C=25℃

1.5

P_T

Total power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

℃

T_stg

-55~150

12 3 4 5

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