2N6751

更新时间： 2024-02-08 03:13:36

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	131K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6751 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	8	JEDEC-95代码：	TO-204AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	15 MHz	Base Number Matches：	1

2N6751 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6751 2N6752

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·High breakdown voltage

·Low saturation voltage

·Fast switching speed

APPLICATIONS

·Off-line power supplies

·High-voltage inverters

·Switching regulators

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Collector

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

800

UNIT

2N6751

2N6752

2N6751

2N6752

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

850

400

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

450

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

I_B

Base current

P_D

T_j

Total Power Dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

150

℃

-65~175

-65~200

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

1.0

℃/W

12 3

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