2N6466

更新时间： 2024-02-15 09:14:57

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	126K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6466 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-66
包装说明：	TO-66, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.17
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	JEDEC-95代码：	TO-66
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	5 MHz	Base Number Matches：	1

2N6466 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6465 2N6466

DESCRIPTION

·With TO-66 package

·Excellent safe operating area

·Complement to type 2N6467 2N6468

APPLICATIONS

·For use in audio amplifier applications

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

110

UNIT

2N6465

2N6466

2N6465

2N6466

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

130

100

120

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

P_D

T_j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

150

-65~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

2.5

℃/W

12 3

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