2N6354

更新时间： 2024-01-19 02:56:06

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	39K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6354 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	10 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	极性/信道类型：	NPN
子类别：	Other Transistors	Base Number Matches：	1

2N6354 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6354

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Excellent safe operating area

·Fast switching speed

·Low collector saturation voltage

·High power dissipation

APPLICATIONS

·For switching applications in military

and industrial equipment

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

150

120

6.5

UNIT

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Base current

I_B

P_D

Total Power Dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

140

200

-65~200

℃

T_j

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

1.25

℃/W

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N6354E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 120V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL	获取价格
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