2N6322

更新时间： 2024-01-07 12:09:49

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描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6322 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-204AA	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	30 A
集电极-发射极最大电压：	200 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	10 MHz	Base Number Matches：	1

2N6322 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6322

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·High current and high power capability

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·For use in high current ,high

power applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

300

UNIT

Open base

200

Open collector

I_B

Base current

P_D

Total Power Dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

200

℃

T_j

200

T_stg

-65~200

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

0.5

℃/W

12 3

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