2N6302

更新时间： 2024-01-28 01:41:29

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	130K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6302 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.74
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	16 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	JEDEC-95代码：	TO-204AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N6302 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6302

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Low collector saturation voltage

·High DC current gain @I_C=8A

APPLICATIONS

·Designed for use in high power audio

amplifier applications and high voltage

switching regulator circuits

PINNING (See Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

140

UNIT

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Base current

I_B

P_T

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_c=25℃

150

-65~200

℃

T_j

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

0.875

℃/W

12 3

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