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2N6263 PDF预览

2N6263

更新时间： 2024-01-16 04:40:49

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	129K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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技术参数
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2N6263 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.7
JESD-609代码：	e3	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

2N6263 数据手册

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浏览型号2N6263的Datasheet PDF文件第3页

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6263 2N6264

DESCRIPTION

·With TO-66 package

·High breakdown voltage

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·A wide variety of medium-to-high power,

high-voltage applications

·Series and shunt regulators

·High-fidelity amplifiers

·Power switching circuits

·Solenoid drivers

PINNING (See Fig.2)

PIN

1

DESCRIPTION

Base

2

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol

3

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

140

170

120

150

7

UNIT

2N6263

2N6264

2N6263

2N6264

V_CBO

Collector-base voltage

V

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current

Collector current-peak

Base current

Open collector

V

A

A

A

3

4

2

2N6263

2N6264

20

P_T

Total power dissipation

T_C=25℃

W

50

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-65~200

℃

℃

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

8.75

3.5

UNIT

2N6263

2N6264

R_{th j-C}

Thermal resistance junction to case

℃/W

12 3

下载PDF

与2N6263相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N6263PBFREE	CENTRAL	Power Bipolar Transistor,	获取价格
2N6264	NJSEMI	ELECTRICAL CHARACTERISTICS	获取价格
2N6264	SEME-LAB	Bipolar NPN Device	获取价格
2N6264	SAVANTIC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2N6264	ISC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2N627	NJSEMI	Trans GP BJT NPN 30V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box	获取价格

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