2N6226

更新时间： 2024-02-21 08:55:08

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	117K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2N6226 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.77	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	6 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	25
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N6226 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2N6226 2N6227 2N6228

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Low collector saturation voltage

·Excellent safe operating area

APPLICATIONS

·For high power audio;stepping motor

and other linear applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-100

-120

-140

-100

-120

-140

-7

UNIT

2N6226

2N6227

2N6228

2N6226

2N6227

2N6228

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

Open collector

T_C=25℃

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

-6

P_D

T_j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

150

℃

150

T_stg

-65~200

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

0.92

℃/W

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N6226E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,	获取价格
2N6227	SEME-LAB	Bipolar PNP Device	获取价格
2N6227	APITECH	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2	获取价格
2N6227	NJSEMI	6 AMPERE POWER TRANSISTORS	获取价格
2N6227	ISC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格
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