2N6044

更新时间： 2024-01-25 15:46:07

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	134K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6044 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.68	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	75 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4 MHz	Base Number Matches：	1

2N6044 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6043 2N6044 2N6045

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·Complement to type 2N6040/6041/6042

·DARLINGTON

·High DC current gain

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·For general-purpose amplifier and

low-speed switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Tc=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

2N6043

2N6044

2N6045

2N6043

2N6044

2N6045

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

100

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

100

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current-DC

Collector current-Peak

Base current-DC

Open collector

120

T_C=25℃

T_a=25℃

P_D

Total power dissipation

2.2

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-65~150

℃

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

Thermal resistance junction to case

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

1.67

℃/W

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2N604416A	MOTOROLA	8A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB	获取价格
2N6044-6200	RENESAS	8A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB	获取价格
2N6044-6203	RENESAS	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti	获取价格
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