2N5972

更新时间： 2024-02-27 09:13:38

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	40K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N5972 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.77	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	15 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	25
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	4 MHz
Base Number Matches：	1

2N5972 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N5972

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Low collector saturation voltage

·High power dissipations

APPLICATIONS

·Designed for general-purpose power

amplifier and switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

100

UNIT

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Base current

I_B

P_D

Total Power Dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

150

-65~200

℃

T_j

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

Thermal resistance junction to case

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

1.1

℃/W

12 3

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