2N5676

更新时间： 2024-02-01 06:30:51

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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3页	47K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2N5676 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.77
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JEDEC-95代码：	TO-213AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

2N5676 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2N5676

DESCRIPTION

·With TO-66 package

·High transition frequency

APPLICATIONS

·For use as high-frequency drivers

in audio amplifiers

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-125

-100

-5

UNIT

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

Open collector

-2

P_D

Total Power Dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

T_stg

-65~200

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

2.5

℃/W

12 3

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