2N5630

更新时间： 2024-02-02 12:27:10

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3页	118K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N5630 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.74	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	16 A	基于收集器的最大容量：	500 pF
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	200 W
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	1 MHz
VCEsat-Max：	2 V	Base Number Matches：	1

2N5630 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N5629 2N5630

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Complement to type 2N6029 2N6030

APPLICATIONS

·For high voltage and high power

amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

100

120

100

120

UNIT

2N5629

2N5630

2N5629

2N5630

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

Collector current-peak

Base current

5.0

P_D

T_j

Total Power Dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

200

-65~200

℃

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

Thermal resistance junction to case

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

0.875

℃/W

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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