2N5629

更新时间： 2024-01-05 02:12:34

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	118K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N5629 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	16 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	25
最高工作温度：	200 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	200 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	标称过渡频率 (fT)：	1 MHz
Base Number Matches：	1

2N5629 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N5629 2N5630

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Complement to type 2N6029 2N6030

APPLICATIONS

·For high voltage and high power

amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

100

120

100

120

UNIT

2N5629

2N5630

2N5629

2N5630

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

Collector current-peak

Base current

5.0

P_D

T_j

Total Power Dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

200

-65~200

℃

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

Thermal resistance junction to case

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

0.875

℃/W

12 3

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