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2N5429

更新时间: 2024-02-29 03:23:58
品牌 Logo 应用领域
无锡固电 - ISC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 49K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

2N5429 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-66
包装说明:TO-66, 2 PIN针数:2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.24
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):7 A
集电极-发射极最大电压:100 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):30JEDEC-95代码:TO-66
JESD-30 代码:O-MBFM-P2JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:MATTE TIN (315)
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):30 MHzBase Number Matches:1

2N5429 数据手册

 浏览型号2N5429的Datasheet PDF文件第2页 
INCHANGE Semiconductor  
isc Product Specification  
isc Silicon NPN Power Transistor  
2N5429  
DESCRIPTION  
·Contunuous Collector Current-IC= 7A  
·Low Collector-Emitter Saturation Voltage-  
: VCE(sat)= 1.2V(Max) @IC= 7A  
·Wide Area of Safe Operation  
APPLICATIONS  
·Designed for switching and wide-band amplifier applications.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
PARAMETER  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
100  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
100  
V
6
V
Collector Current-Continuous  
Base Current-Continuous  
Collector Power Dissipation@TC=25  
Junction Temperature  
7
1
A
IB  
A
PC  
40  
W
TJ  
200  
-65~200  
Storage Temperature  
Tstg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX  
UNIT  
Thermal Resistance,Junction to Case  
4.37  
/W  
Rth j-c  
isc Websitewww.iscsemi.cn  

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