2N5297

更新时间： 2024-02-18 01:54:38

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	122K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N5297 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	4 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	140 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	36 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：	0.8 MHz	Base Number Matches：	1

2N5297 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N5294 2N5296 2N5298

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·High power dissipation

APPLICATIONS

·Power amplifier and medium speed

switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

2N5294

2N5296

2N5298

2N5294

2N5296

2N5298

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

Open base

V_CEO

Collector-emitter voltage

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

I_B

Base current

P_T

T_j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

150

-65~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance from junction to case

3.47

℃/W

12 3

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