2N4909

更新时间： 2024-01-20 02:32:42

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描述
isc Silicon PNP Power Transistors

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2N4909 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.77	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	4 MHz
Base Number Matches：	1

2N4909 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistors

2N4909

DESCRIPTION

·Low Collector Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= -0.75V(Max.)@ I_C= -4A

·DC Current Gain-

: h_FE= 20-80 @I_C= -4A

APPLICATIONS

·Designed for general purpose use in power amplifier and

switching circuits.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

VALUE

-80

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-80

-5

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

Collector Power Dissipation@T_C=25℃

Junction Temperature

-10

I_B

-4

P_C

150

℃

T_J

200

Storage Temperature

-65~200

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

2.0

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N4909E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,	获取价格
2N490A	NJSEMI	Diode	获取价格
2N490AHR	DIGITRON	Unijunction Transistor	获取价格
2N490B	NJSEMI	Diode	获取价格
2N490C	NJSEMI	NPN	获取价格
2N490CHR	DIGITRON	Unijunction Transistor	获取价格