2N3447

更新时间： 2024-01-05 00:01:55

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	130K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N3447 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.67	最大集电极电流 (IC)：	7.5 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	200 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	115 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	标称过渡频率 (fT)：	10 MHz
Base Number Matches：	1

2N3447 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N3447

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Excellent safe operating area

APPLICATIONS

·Designed for medium-switching

and amplifier applications.

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

Open base

Open collector

7.5

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

115

℃

T_j

150

-65~200

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

Thermal resistance junction to case

1.17

℃/W

R_{(th) jc}

12 3

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