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2N3237

更新时间: 2024-01-26 11:31:40
品牌 Logo 应用领域
无锡固电 - ISC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 130K
描述
Silicon NPN Power Transistors

2N3237 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.46
最大集电极电流 (IC):20 A集电极-发射极最大电压:75 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):12
JEDEC-95代码:TO-3JESD-30 代码:O-MBFM-P2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:200 W
最大功率耗散 (Abs):200 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):1 MHz
VCEsat-Max:2 VBase Number Matches:1

2N3237 数据手册

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Inchange Semiconductor  
Product Specification  
Silicon NPN Power Transistors  
2N3235  
DESCRIPTION  
·With TO-3 package  
·Excellent safe operating area  
·Low collector saturation voltage  
APPLICATIONS  
·Designed for general–purpose switching  
and amplifier applications.  
PINNING  
PIN  
1
DESCRIPTION  
Base  
2
Emitter  
Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol  
3
Collector  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
PARAMETER  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
CONDITIONS  
Open emitter  
VALUE  
UNIT  
V
65  
55  
Open base  
V
Open collector  
7
V
15  
A
IB  
Base current  
7
A
PC  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
TC=25  
115  
150  
-65~200  
W
Tj  
Tstg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
PARAMETER  
VALUE  
UNIT  
Thermal resistance junction to case  
1.52  
/W  
R(th) jc  

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