2N3232

更新时间： 2024-01-24 22:38:06

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	130K
描述
Silicon NPN Power Transistors

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N3232 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.68
最大集电极电流 (IC)：	7.5 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	18	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	117 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：	0.02 MHz	Base Number Matches：	1

2N3232 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N3232

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Excellent safe operating area

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·For audio amplifier and power switching

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

Open base

Open collector

7.5

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

115

℃

T_j

150

-65~200

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

Thermal resistance junction to case

1.17

℃/W

R_{(th) jc}

12 3

下载PDF

与2N3232相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N3233	ISC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2N3233	SAVANTIC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2N3234	ISC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2N3234	SAVANTIC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2N3235	SAVANTIC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2N3235	ISC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格