2N3226

更新时间： 2024-02-21 10:19:38

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	130K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N3226 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	5 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	20	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	75 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
标称过渡频率 (fT)：	0.03 MHz

2N3226 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N3226

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Excellent safe operating area

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·For power amplifier and switching

circuits applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

Open base

Open collector

P_D

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-65~200

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

Thermal resistance junction to case

1.17

℃/W

R_{(th) jc}

12 3

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