2N3183

更新时间： 2024-01-15 01:06:13

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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3页	147K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2N3183 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.46
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	75 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	60 MHz
VCEsat-Max：	1 V	Base Number Matches：	1

2N3183 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2N3183

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Excellent safe operating area

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·For medium-speed switching and

amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-40

UNIT

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

-40

Open collector

-5

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-65~200

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

Thermal resistance junction to case

1.17

℃/W

R_{(th) jc}

12 3

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