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IS75V16F64GS32-7070DI

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
52页	238K
描述
Memory Circuit, Flash+SRAM, 4MX16, CMOS, PBGA65, 9 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-65

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IS75V16F64GS32-7070DI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	9 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-65	针数：	65
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.92	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	ALSO CONTAINS 32MBIT PSEUDO SRAM	JESD-30 代码：	S-PBGA-B65
JESD-609代码：	e0	长度：	9 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT
内存宽度：	16	混合内存类型：	FLASH+SRAM
功能数量：	1	端子数量：	65
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-30 °C	组织：	4MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFBGA
封装等效代码：	BGA65,10X10,32	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.34 mm	最大待机电流：	0.005 A
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	0.053 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.1 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.9 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	9 mm
Base Number Matches：	1

IS75V16F64GS32-7070DI 数据手册

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75V16F64GS32

ISSI

64 Mbit FLASH MEMORY AND 32 Mbit PSEUDO SRAM

STACKED MULTI-CHIP PACKAGE (MCP)

PRELIMINARY INFORMATION

AUGUST 2002

MCP FEATURES

• Power supply voltage of 2.7 to 3.1 volt

• High performance:

- Flash access time as fast as 70 ns

- PSRAM access time as fast as 70 ns

• Package: 65-Ball FBGA

• WP/ACC Input Pin

- At V^IL, allows protection of “outermost” 2 × 8 Kbytes

on both ends of boot sectors, regardless of sector

protection/unprotection status

- At VIH, allows removal of boot sector protection

- At VACC, program time will be reduced by 40 %

• Operating Temperature: –30°C to +85°C

• Embedded Erase^TMAlgorithms

- Automatically preprograms and erases the chip

or any sector

• Embedded Program^TMAlgorithms

- Automatically writes and verifies data at specified

address

• Data Polling and Toggle Bit Feature for Detection of

Program or Erase Cycle Completion

• Ready/Busy Output (RY/BY)

- Hardware method for detection of program or

erase cycle completion

FLASH MEMORY FEATURES

• 0.17 µm Process Technology

• Simultaneous Read/Write Operations (Dual Bank)

• FlexBank^TMarchitecture

- Bank A : 8 Mbit (8KB x 8 and 64KB x 15)

- Bank B : 24 Mbit (64KB x 48)

- Bank C : 24 Mbit (64KB x 48)

- Bank D : 8 Mbit (8KB x 8 and 64KB x 15)

- Two virtual Banks are chosen from the combination

of four physical banks (Refer to "Example of Virtual

Banks Combination Table" and Simultaneous

Operation Table" in FLEXIBLE SECTOR-ERASE

ARCHITECTURE on FLASH MEMORY)

- Host system can program or erase in one bank, and

then read immediately and simultaneously from the

other bank with zero latency between read and write

operations.

• Automatic Sleep Mode

- When addresses remain stable, the device

automatically switches itself to low power mode.

• Low VCCf Write Inhibit ≤ 2.5 V

• Program Suspend/Resume

- Suspends the program operation to allow a read

in another byte

- Read-while-erase

- Read-while-program

• Erase Suspend/Resume

- Suspends the erase operation to allow a read

data and/or program in another sector within the

same device

• Single 3.0 V Read, Program, and Erase

- Minimized system level power requirements

• Minimum 100,000 Program/Erase Cycles

• Sector Erase Architecture

- Sixteen 4 Kword and one hundred twenty-six 32

Kword sectors in word

PSRAM FEATURES

• Power Dissipation:

- Operating

- Standby

: 25mA Max

:100 µA Max

- Any combination of sectors can be concurrently

erased

- Power Down : Sleep

- NAP

- 8M Partial : 70 µA Max

• Power down Control by CE2r

: 10 µA Max

: 60 µA Max

- Supports full chip erase

• Hidden ROM (Hi-ROM) Region

- 256 byte of Hi-ROM, accessible through a new "HI-

ROM Enable" command sequence

- Factory serialized and protected to provide a secure

electronic serial number (ESN)

• Byte Write Control : LB (DQ₇-DQ₀), UB (DQ₁₅-DQ₈)

• 8 words Address Access Capability

without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to

obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products. FlexBankTM is a trademark

of Fujitsu Limited, Japan. Embedded Erase^TMand Embedded Program^TMare trademarks of Advanced Micro Devices, Inc

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774

PRELIMINARY INFORMATION Rev. 00A

08/01/02

12 3 4 5 6 7...52

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS75V16F96GS08-7065BI	ISSI	获取价格	Memory Circuit, 4MX16, CMOS, PBGA107, 9 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, BGA-107
IS773	ISOCOM	获取价格	AC Input-Transistor Output Optocoupler
IS773G	ISOCOM	获取价格	AC Input-Transistor Output Optocoupler
IS801	ETC	获取价格	NPN-OUTPUT DC-INPUT OPTOCOUPLER
IS802	ETC	获取价格	NPN-OUTPUT DC-INPUT OPTOCOUPLER
IS803	ETC	获取价格	NPN-OUTPUT DC-INPUT OPTOCOUPLER
IS804	ETC	获取价格	NPN-OUTPUT DC-INPUT OPTOCOUPLER
IS805	ETC	获取价格	NPN-OUTPUT DC-INPUT OPTOCOUPLER
IS80C154	TEMIC	获取价格	Microcontroller, 8-Bit, 8051 CPU, 12MHz, CMOS, PQCC44,
IS80C154-1	TEMIC	获取价格	Microcontroller, 8-Bit, 8051 CPU, 16MHz, CMOS, PQCC44,

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