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IS71V16F32GSB04-7070BI

更新时间： 2024-09-25 20:10:23

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
49页	188K
描述
Memory Circuit, Flash+SRAM, 2MX16, CMOS, PBGA59, 7 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-59

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IS71V16F32GSB04-7070BI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	7 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-59	针数：	59
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.92	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	SRAM IS ORGANISED AS 256K X 16	JESD-30 代码：	R-PBGA-B59
JESD-609代码：	e0	长度：	9 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT
内存宽度：	16	混合内存类型：	FLASH+SRAM
功能数量：	1	端子数量：	59
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-30 °C	组织：	2MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA59,8X10,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	0.043 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7 mm
Base Number Matches：	1

IS71V16F32GSB04-7070BI 数据手册

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IS71V16F32GST04

IS71V16F32GSB04

ISSI

3.0 Volt-Only Flash & SRAM COMBO with

Stacked Multi-Chip Package (MCP)

PRELIMINARY INFORMATION

DECEMBER 2002

— 32 Mbit Simultaneous Operation Flash

Memory (x16) and 4 Mbit Static RAM (x16)

• Top or Bottom Boot

• Hidden ROM Region:

MCP FEATURES

• Power supply voltage 2.7V to 3.3V

256 byte with a Factory-serialized secure electronic

serial number (ESN), which is accessible through a

command sequence

• High performance:

Flash: 70ns maximum access time

SRAM: 70ns maximum access time

• Data Polling and Toggle Bit:

• Packages: 59-ball BGA or 56-ball BGA

• Operating Temperature: -30C to +85C

Allow for detection of program or erase cycle comple-

tion

• Ready-Busy output (RY/BY)

FLASH FEATURES

Detection of program or erase cycle completion

• Power Dissipation:

• Over 100,000 write/erase cycles

Read Current at 1 Mhz: 4 mA maximum

Read Current at 5 Mhz:18 mA maximum

Sleep Mode: 5 µA maximum

• Low supply voltage (Vccf ≤ 2.5V) inhibits writes

• WP/ACC input pin:

If VIL, allows partial protection of boot sectors

If VIH, allows removal of boot sector protection

If Vacc, program time is improved

• User Configurable Banks

- Bank A : 4 Mbit (8KB x 8 and 64KB x 7)

- Bank B : 12 Mbit (64KB x 24)

- Bank C : 12 Mbit (64KB x 24)

- Bank D : 4 Mbit (64KB x 8 )

User chooses two virtual banks from a combination

of four physical banks

SRAM FEATURES (4 Mb density)

• Power Dissipation:

• Simultaneous R/W Operations (dual virtual bank):

Zero latency between read and write operations; Data

can be programmed or erased in one bank while data

is simultaneously being read from the other bank

Operating: 40 mA maximum

Standby: 10 µA maximum

• Chip Selects: CE1s, CE2s

• Low-Power Mode:

• Power down feature using CE1s, or CE2s

• Data retention supply voltage: 1.5 to 3.3 volt

A period of no activity causes flash to enter a

low-power state

• Byte data control: LBs (DQ0–DQ7), UBs

• Erase Suspend/Resume:

Suspends of erase activity to allow a read in the

same bank

(DQ8–DQ15)

• Sector Erase Architecture:

8 sectors of 4K words each and 63 sectors of 32K words

each in Word mode. Any combination of sectors, or

the entire flash can be simultaneously erased

• Erase Algorithms:

Automatically preprograms/erases the flash memory

entirely, or by sector

• Program Algorithms:

Automatically writes and verifies data at specified

address

without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to

obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774

Rev. 00C

12/05/02

12 3 4 5 6 7...49

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与IS71V16F32GSB04-7070BI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS71V16F32GSB08-7070BI	ISSI	获取价格	Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA73, 8 X 11.60 MM, 0.80 MM PITCH, BGA-73
IS71V16F32GST04-7070BI	ISSI	获取价格	Memory Circuit, Flash+SRAM, 2MX16, CMOS, PBGA59, 7 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-59
IS71V16F64GS08-7085AI	ISSI	获取价格	Memory Circuit, Flash+SRAM, 4MX16, CMOS, PBGA101, 11 X 12 MM, BGA-101
IS71V16F64GS08-8570AI	ISSI	获取价格	Memory Circuit, Flash+SRAM, 4MX16, CMOS, PBGA101, 11 X 12 MM, BGA-101
IS71V16F64GS08-8570BI	ISSI	获取价格	Memory Circuit, Flash+SRAM, 4MX16, CMOS, PBGA73, 8 X 11.60 MM, BGA-73
IS71VPCF16KS04-7085MI	ISSI	获取价格	Memory Circuit, Flash+SRAM, 1MX16, CMOS, PBGA56, 7.20 X 7 MM, 0.80 MM PITCH, MINI, BGA-56
IS71VPCF16NS04-8585FI	ISSI	获取价格	Memory Circuit, Flash+SRAM, 1MX16, CMOS, PBGA69, 8 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, MINI, BGA-69
IS71VPCF16PS04-8585FI	ISSI	获取价格	Memory Circuit, Flash+SRAM, 1MX16, CMOS, PBGA69, 8 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, MINI, BGA-69
IS71VPCF16QS04-7085MI	ISSI	获取价格	Memory Circuit, Flash+SRAM, 1MX16, CMOS, PBGA56, 7.20 X 7 MM, 0.80 MM PITCH, MINI, BGA-56
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