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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.92 | 其他特性： | 8K X 8 TAG |
| JESD-30 代码： | R-XDMA-N160 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 2097152 bit | 内存集成电路类型： | CACHE TAG SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 32 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 160 |
| 字数： | 65536 words | 字数代码： | 64000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 64KX32 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.63 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IS6MC256S-60 | ISSI |
获取价格 |
Cache Tag SRAM Module, 64KX32, CMOS |
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| IS6MC256S-66 | ISSI |
获取价格 |
Cache Tag SRAM Module, 64KX32, CMOS |
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| IS6MC512K-50 | ETC |
获取价格 |
x64 Interleaved Burst Mode SRAM Module |
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| IS6MC512K-60 | ETC |
获取价格 |
x64 Interleaved Burst Mode SRAM Module |
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| IS6MC512K-66 | ETC |
获取价格 |
x64 Interleaved Burst Mode SRAM Module |
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| IS6MC512L-60 | ETC |
获取价格 |
x64 Interleaved Burst Mode SRAM Module |
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| IS6MC512L-66 | ETC |
获取价格 |
x64 Interleaved Burst Mode SRAM Module |
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| IS6MC512S-50 | ISSI |
获取价格 |
Cache Tag SRAM Module, 128KX32, CMOS |
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| IS6MC512S-60 | ISSI |
获取价格 |
Cache Tag SRAM Module, 128KX32, CMOS |
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| IS6MC512S-66 | ISSI |
获取价格 |
Cache Tag SRAM Module, 128KX32, CMOS |
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