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IS65C1024AL-55QA3

更新时间： 2024-02-26 02:10:12

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	56K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32

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IS65C1024AL-55QA3 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.86
最长访问时间：	55 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	JESD-609代码：	e0
长度：	20.498 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP32,.45
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	AEC-Q100	座面最大高度：	3 mm
最大待机电流：	0.00005 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.055 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	11.2 mm
Base Number Matches：	1

IS65C1024AL-55QA3 数据手册

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IS65C1024AL

ISSI

PRELIMINARY INFORMATION

SEPTEMBER 2002

128K x 8 LOW POWER CMOS

STATIC RAM

FEATURES

DESCRIPTION

The ISSI IS65C1024AL is a low power,131,072-word by 8-

bit CMOS static RAM. It is fabricated using high-performance

CMOS technology. This highly reliable process coupled

with innovative circuit design techniques, yields higher

performance and low power consumption devices.

• High-speed access time: 55, 70 ns

• Low active power: 50 mW (typical)

• Low standby power: 100 µW (typical) CMOS

standby

• Output Enable (OE) and two Chip Enable

(CE1 and CE2) inputs for ease in applications

When CE1 is HIGH or CE2 is LOW (deselected), the

device assumes a standby mode at which the power

dissipation can be reduced by using CMOS input levels.

• Fully static operation: no clock or refresh

required

Easy memory expansion is provided by using two Chip

Enable inputs, CE1 and CE2. The active LOW Write

Enable (WE) controls both writing and reading of the

memory.

• TTL compatible inputs and outputs

• Single 5V (±10%) power supply

• Temperature Offerings:

Option A: 0°C to 70⁰C

Option A1: –40°C to +85⁰C

Option A2: –40°C to +105⁰C

Option A3: –40°C to +125⁰C

• Standard Pin Configuration:

—

32-pin SOP/ 32-pin TSOP (Type 1)

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

512 X 2048

MEMORY ARRAY

A0-A16

DECODER

VDD

GND

I/O

DATA

CIRCUIT

COLUMN I/O

I/O0-I/O7

CE1

CONTROL

CIRCUIT

CE2

assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the latest version of this device

specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774

Rev.00C

09/03/02

12 3 4 5 6 7...10

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IS65C1024AL-70QA1	ISSI	获取价格	暂无描述
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IS65C1024AL-70QA3	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32
IS65C1024AL-70TA1	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32
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