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IS65C10248AL-55CTLA3

更新时间： 2024-09-26 05:39:35

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
14页	367K
描述
1M x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

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IS65C10248AL-55CTLA3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2, TSOP44,.46,32	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	55 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e3	长度：	18.41 mm
内存密度：	8388608 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	1MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP44,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	AEC-Q100	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.00018 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

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IS62C10248AL

IS65C10248AL

1M x 8 LOW VOLTAGE,

ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

PRELIMINARY INFORMATION

OCTOBER 2009

FEATURES

DESCRIPTION

Theꢀ ISSIꢀ IS62C10248AL/IS65C10248ALꢀ areꢀ ꢀ high-

speed,ꢀ 8Mꢀ bitꢀ staticꢀ RAMsꢀ organizedꢀ asꢀ 1Mꢀ wordsꢀ byꢀ

8ꢀ bits.ꢀ Itꢀ isꢀ fabricatedꢀ usingꢀ ISSI'sꢀ high-performanceꢀ

CMOSꢀtechnology.ꢀThisꢀhighlyꢀreliableꢀprocessꢀcoupledꢀ

withꢀ innovativeꢀ circuitꢀ designꢀ techniques,ꢀ yieldsꢀ high-

performance and low power consumption devices.

•ꢀ High-speedꢀaccessꢀtime:ꢀ45ns,ꢀ55ns

•ꢀ CMOSꢀlowꢀpowerꢀoperation

– 36 mW (typical) operating

ꢀ –ꢀ12ꢀµWꢀ(typical)ꢀCMOSꢀstandby

•ꢀ TTLꢀcompatibleꢀinterfaceꢀlevels

•ꢀ Singleꢀpowerꢀsupplyꢀꢀ

When CS1ꢀisꢀHIGHꢀ(deselected)ꢀorꢀwhenꢀCS2ꢀisꢀLOW

(deselected), the device assumes a standby mode at

which the power dissipation can be reduced down with

CMOSꢀinputꢀlevels.

ꢀ –ꢀ4.5V--5.5VꢀV^dd

Easy memory expansion is provided by using Chip Enable

andꢀOutputꢀEnableꢀinputs.ꢀTheꢀactiveꢀLOWꢀWriteꢀEnableꢀ

(WE) controls both writing and reading of the memory.

•ꢀ Threeꢀstateꢀoutputs

•ꢀ Automotiveꢀtemperatureꢀ(-40^oC to +125^oC)

TheꢀIS62C10248ALꢀandꢀIS65C10248ALꢀareꢀpackagedꢀinꢀ

theꢀJEDECꢀstandardꢀ48-pinꢀminiꢀBGAꢀ(9mmꢀxꢀ11mm)ꢀandꢀ

44-PinꢀTSOPꢀ(TYPEꢀII).

•ꢀ Lead-freeꢀavailable

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

1M x 8

MEMORY ARRAY

A0-A19

DECODER

VDD

GND

I/O

DATA

COLUMN I/O

I/O0-I/O7

CIRCUIT

CS2

CS1

CONTROL

CIRCUIT

liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the latest version of this device speciﬁcation before relying on

any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774

Rev. 00A

09/25/09

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IS65C1024AL-45QA3	ISSI	获取价格	128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS65C1024AL-45QLA3	ISSI	获取价格	IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP
IS65C1024AL-45QLA3-TR	ISSI	获取价格	IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP
IS65C1024AL-45TA3	ISSI	获取价格	128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS65C1024AL-45TLA3	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, TSOP1-32
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