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IS63LV1024-12TLI-TR

更新时间： 2024-11-05 13:08:55

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	71K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-32

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IS63LV1024-12TLI-TR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2,	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.43
最长访问时间：	12 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e3	长度：	20.95 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.45 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

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IS63LV1024

128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

3.3V REVOLUTIONARY PINOUT

ISSI

SEPTEMBER 2000

FEATURES

DESCRIPTION

The ISSI IS63LV1024 is a very high-speed, low power,

131,072-word by 8-bit CMOS static RAM in revolutionary

pinout. The IS63LV1024 is fabricated using ISSI's

high-performance CMOS technology. This highly reliable

process coupled with innovative circuit design

techniques, yields higher performance and low power

consumption devices.

• High-speed access times:

8, 10, 12 and 15 ns

• High-performance, low-powerCMOSprocess

• Multiple center power and ground pins for

greater noise immunity

• Easy memory expansion with CE and OE

options

When CE is HIGH (deselected), the device assumes a

standby mode at which the power dissipation can be

reduced down to 250 µW (typical) with CMOS input levels.

• CE power-down

• Fully static operation: no clock or refresh

required

The IS63LV1024 operates from a single 3.3V power

supply and all inputs are TTL-compatible.

• TTL compatible inputs and outputs

• Single 3.3V power supply

• Packages available:

– 32-pin 300-mil SOJ

– 32-pin 400-mil SOJ

– 32-pin TSOP (Type II)

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

128K X 8

MEMORY ARRAY

A0-A16

DECODER

VCC

GND

I/O

DATA

COLUMN I/O

I/O0-I/O7

CIRCUIT

CONTROL

CIRCUIT

ISSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best possible product. We assume no responsibility for any

Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774

Rev. H

10/02/00

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS63LV1024-12T-TR	ISSI	获取价格	SRAM,
IS63LV1024-15J	ISSI	获取价格	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT
IS63LV1024-15JI	ISSI	获取价格	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT
IS63LV1024-15K	ISSI	获取价格	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT
IS63LV1024-15KI	ISSI	获取价格	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT
IS63LV1024-15T	ISSI	获取价格	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT
IS63LV1024-15TI	ISSI	获取价格	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT
IS63LV1024-8J	ISSI	获取价格	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT
IS63LV1024-8J	ICSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 8ns, CMOS, PDSO32,
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