是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP1 |
包装说明: | 8 X 13.40 MM, STSOP1-32 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.B |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.77 |
最长访问时间: | 12 ns | JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 11.8 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 128KX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP1 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 3.45 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3.15 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS63LV1024-12J | ISSI |
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128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT | |
IS63LV1024-12J | ICSI |
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Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, | |
IS63LV1024-12JI | ISSI |
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128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT | |
IS63LV1024-12JL | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0.300 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOJ-32 | |
IS63LV1024-12JL-TR | ISSI |
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暂无描述 | |
IS63LV1024-12K | ISSI |
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128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT | |
IS63LV1024-12KI | ISSI |
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128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT | |
IS63LV1024-12KL | ISSI |
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128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT | |
IS63LV1024-12KL-TR | ISSI |
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SRAM | |
IS63LV1024-12T | ISSI |
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128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT |