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IS63LV1024-10JI

更新时间： 2024-09-13 20:16:11

品牌	Logo	应用领域
矽成 - ICSI		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	436K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32,

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IS63LV1024-10JI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SOJ, SOJ32,.34	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.86	最长访问时间：	10 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-J32
JESD-609代码：	e0	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ32,.34	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.015 A	最小待机电流：	3 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.16 mA
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

IS63LV1024-10JI 数据手册

IS63LV1024

128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

3.3V REVOLUTIONARY PINOUT

FEATURES

DESCRIPTION

The ICSI IS63LV1024 is a very high-speed, low power,

131,072-word by 8-bit CMOS static RAM in revolutionary

pinout. The IS63LV1024 is fabricated using ICSI's high-

performance CMOS technology. This highly reliable pro-

cess coupled with innovative circuit design techniques,

yields higher performance and low power consumption

devices.

High-speed access times:

8, 10, 12 and 15 ns

High-performance, low-power CMOS process

Multiple center power and ground pins for

greater noise immunity

Easy memory expansion with CE and OE

options

When CE is HIGH (deselected), the device assumes a

standby mode at which the power dissipation can be

reduced down to 250 µW (typical) with CMOS input levels.

CE power-down

Fully static operation: no clock or refresh

required

The IS63LV1024 operates from a single 3.3V power supply

and all inputs are TTL-compatible.

TTL compatible inputs and outputs

Single 3.3V power supply

The IS63LV1024 is available in 32-pin 300mil SOJ, 400mil

SOJ, and 400mil TSOP-2 packages.

Packages available:

32-pin 300mil SOJ

32-pin 400mil SOJ

32-pin 400mil TSOP-2

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

128K X 8

MEMORY ARRAY

A0-A16

DECODER

VCC

GND

I/O

DATA

COLUMN I/O

I/O0-I/O7

CIRCUIT

CONTROL

CIRCUIT

ICSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best possible product. We assume no responsibility for any errors

Integrated Circuit Solution Inc.

SR019-0C

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS63LV1024-10J-TR	ISSI	获取价格	SRAM
IS63LV1024-10K	ISSI	获取价格	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT
IS63LV1024-10K	ICSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32,
IS63LV1024-10KI	ISSI	获取价格	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT
IS63LV1024-10KI-TR	ISSI	获取价格	SRAM
IS63LV1024-10K-TR	ISSI	获取价格	SRAM
IS63LV1024-10T	ISSI	获取价格	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT
IS63LV1024-10T	ICSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32,
IS63LV1024-10TI	ICSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32,
IS63LV1024-10TI	ISSI	获取价格	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT

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