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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 85 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T32 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 128KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP32,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.00005 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.07 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IS62C1024LL | ICSI |
获取价格 |
128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
|
| IS62C1024LL-70Q | ICSI |
获取价格 |
128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
|
| IS62C1024LL-70T | ICSI |
获取价格 |
128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
|
| IS62C1024LL-70W | ICSI |
获取价格 |
128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
|
| IS62C256 | ISSI |
获取价格 |
32K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
|
| IS62C256-100T | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| IS62C256-100TI | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| IS62C256-100U | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| IS62C256-100UI | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| IS62C256-100W | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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